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    作者:陈杰

    慧荣科技“产品技术革新”引领主控芯片

         [ 中关村在线 原创 ] 暂无评论

      10月28日慧荣科技在北京专门举行了关于3D NAND及PCIe NVMe SSD 新生态产品的交流会。产品经理黄莨展先生说,在世界万物互联的大环境下嵌入式储存技术迫切需要改进,我们已经针对主控芯片做出了新一代的技术革新,包括,稳定性,高速度,大存储,高效的运转速率,做出了极大的改进,预计3D NAND即将带动SSD市场将是一次全球性的爆发式增长。

    慧荣科技“产品技术革新”引领主控芯片

    慧荣科技“产品经理”黄莨展先生

      新一代的控制芯片意味着又重新站在了历史的新台阶上,目前由英特尔定制的NVMe接口标准,已经逐步得到了各大厂商的支持启用新的接口标准,这更加让PCIe SSD产品呈现出全新的高速度标准展现在世人面前,慧荣科技产品经理黄莨展先生表示,新生代的SSD产品价格方面,将会逐渐拉近传统的市场化,而且要和目前的硬盘市场的规模化拉近距离,让更多的消费者认识到新生代产品的可靠性,价格更低,寿命更长,速度更快,容量更大的优点,不久的将来,SSD将成为消费者的普遍需求和最优的选择。

      目前慧荣科技推出了两款专门为3D TLC NAND及NVMe PCIe SSD设计的新一代控制芯片的解决方案,应运而生的SM2258及SM2260,SM2258支持目前的2D/3D TLC NAND及SATA接口,而SM2260遵循NVMe PCIe标准,支持3D MLC/TLC的SSD控制芯片超过了SATA的6GB/s及SAS的12GB/s的传输带宽限制,大大的突破了传统产品的限制,提升了读写存储的高效能运转能力。

    慧荣科技“产品技术革新”引领主控芯片
    慧荣科技“产品经理”黄莨展先生,媒体见面会

      在展示中我们可以了解到,SM2260是8通道设计最高可以支持2TB容量,搭配3D NAND的NVMe PCIe具有高速的传输效率,而且SM2260 的读写速率分别达到了2370MB和1039MB,这样一个高强度的读写速率在业界里是非常少见的,而且也会给用户带来非常快速迅捷的工作效率,无论是企业服务,还是个人玩家,这都将是一个惊人的消息。

      相比传统的BCH ECC算法,LDPC拥有更高的纠错效能,同时使用超低的功率,黄莨展先生特别提到了一点三维解错修正技术,是目前独家研发的具有"正反方向"的修正解错技术,具有减少纠错时间,消耗更少的功率,使SSD运行效率更快更准确,据黄莨展先生向媒体透漏未来慧荣科技将在技术革新领域做带头人,不断在研究探索迈进,预计明年下半年将要推出SSD读取速度要向3GB/s迈进,这不得不说这真是一个天大的好消息。

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